ON Semiconductor - NGTB60N65FL2WG

KEY Part #: K6422608

NGTB60N65FL2WG Preços (USD) [7845pcs Estoque]

  • 1 pcs$5.25314
  • 10 pcs$4.74546
  • 100 pcs$3.92888
  • 500 pcs$3.42123

Número da peça:
NGTB60N65FL2WG
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
650V/60A IGBT FSII.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Módulos de driver de energia ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NGTB60N65FL2WG Atributos do produto

Número da peça : NGTB60N65FL2WG
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : 650V/60A IGBT FSII
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : Field Stop
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 650V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 100A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) : 240A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2V @ 15V, 60A
Potência - Max : 595W
Energia de comutação : 1.59mJ (on), 660µJ (off)
Tipo de entrada : Standard
Carga do Portão : 318nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C : 117ns/265ns
Condição de teste : 400V, 60A, 10 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 96ns
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-247-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247-3

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