ON Semiconductor - FGA40T65UQDF

KEY Part #: K6424837

FGA40T65UQDF Preços (USD) [35400pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.17006
  • 450 pcs$1.10454

Número da peça:
FGA40T65UQDF
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
IGBT 650V 80A 231W TO3PN.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FGA40T65UQDF Atributos do produto

Número da peça : FGA40T65UQDF
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : IGBT 650V 80A 231W TO3PN
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : NPT
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 650V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 80A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) : 120A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 1.67V @ 15V, 40A
Potência - Max : 231W
Energia de comutação : 989µJ (on), 310µJ (off)
Tipo de entrada : Standard
Carga do Portão : 306nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C : 32ns/271ns
Condição de teste : 400V, 40A, 6 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 89ns
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-3P-3, SC-65-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-3PN