ON Semiconductor - FQB50N06TM

KEY Part #: K6392716

FQB50N06TM Preços (USD) [144409pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.34831
  • 800 pcs$0.34658

Número da peça:
FQB50N06TM
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Diodos - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQB50N06TM Atributos do produto

Número da peça : FQB50N06TM
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Series : QFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 50A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 41nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1540pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D²PAK (TO-263AB)
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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