ON Semiconductor - FGH50T65UPD

KEY Part #: K6423044

FGH50T65UPD Preços (USD) [17254pcs Estoque]

  • 1 pcs$2.33130
  • 10 pcs$2.09244
  • 100 pcs$1.71446

Número da peça:
FGH50T65UPD
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
IGBT 650V 100A 340W TO-247AB.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - RF, Tiristores - SCRs, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Tiristores - SCRs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FGH50T65UPD Atributos do produto

Número da peça : FGH50T65UPD
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : IGBT 650V 100A 340W TO-247AB
Series : -
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo IGBT : Trench Field Stop
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 650V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 100A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) : 150A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2.3V @ 15V, 50A
Potência - Max : 340W
Energia de comutação : 2.7mJ (on), 740µJ (off)
Tipo de entrada : Standard
Carga do Portão : 230nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C : 32ns/160ns
Condição de teste : 400V, 50A, 6 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 53ns
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-247-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247

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