ON Semiconductor - FGB5N60UNDF

KEY Part #: K6424915

FGB5N60UNDF Preços (USD) [83572pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.47021
  • 800 pcs$0.46787

Número da peça:
FGB5N60UNDF
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
IGBT 600V 10A 73.5W D2PAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Zener - Single and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FGB5N60UNDF Atributos do produto

Número da peça : FGB5N60UNDF
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : IGBT 600V 10A 73.5W D2PAK
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : NPT
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 600V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 10A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) : 15A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2.4V @ 15V, 5A
Potência - Max : 73.5W
Energia de comutação : 80µJ (on), 70µJ (off)
Tipo de entrada : Standard
Carga do Portão : 12.1nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C : 5.4ns/25.4ns
Condição de teste : 400V, 5A, 10 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 35ns
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-263AB (D²PAK)