ON Semiconductor - FGH40T120SMD-F155

KEY Part #: K6424692

FGH40T120SMD-F155 Preços (USD) [14276pcs Estoque]

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Número da peça:
FGH40T120SMD-F155
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
IGBT 1200V 80A 555W TO247-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Módulos de driver de energia, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Matrizes and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FGH40T120SMD-F155 Atributos do produto

Número da peça : FGH40T120SMD-F155
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : IGBT 1200V 80A 555W TO247-3
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : Trench Field Stop
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 80A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) : 160A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2.4V @ 15V, 40A
Potência - Max : 555W
Energia de comutação : 2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
Tipo de entrada : Standard
Carga do Portão : 370nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C : 40ns/475ns
Condição de teste : 600V, 40A, 10 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 65ns
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-247-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247