IRL2203NPBF Preços (USD) [53136pcs Estoque]
- 1 pcs$0.67314
- 10 pcs$0.59746
- 100 pcs$0.47212
- 500 pcs$0.34635
- 1,000 pcs$0.27343
- Número da peça:
- IRL2203NPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 116A TO-220AB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - JFETs, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - SCRs, Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Matrizes and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRL2203NPBF electronic components. IRL2203NPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRL2203NPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRL2203NPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRL2203NPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 116A TO-220AB
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
116A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
60nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3290pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
180W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220AB
Pacote / caso :
TO-220-3
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