IXYS - IXTH76P10T

KEY Part #: K6400025

IXTH76P10T Preços (USD) [15330pcs Estoque]

  • 1 pcs$3.09371
  • 10 pcs$2.76231
  • 100 pcs$2.26493
  • 500 pcs$1.83403
  • 1,000 pcs$1.54677

Número da peça:
IXTH76P10T
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 100V 76A TO-247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH76P10T Atributos do produto

Número da peça : IXTH76P10T
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET P-CH 100V 76A TO-247
Series : TrenchP™
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 76A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 197nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±15V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 13700pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 298W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247 (IXTH)
Pacote / caso : TO-247-3

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