ON Semiconductor - NDS355N

KEY Part #: K6416644

NDS355N Preços (USD) [369371pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.10064
  • 3,000 pcs$0.10014

Número da peça:
NDS355N
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 30V 1.6A SSOT3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Single and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NDS355N Atributos do produto

Número da peça : NDS355N
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 30V 1.6A SSOT3
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.6A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 85 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 5nC @ 5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 245pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 500mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SuperSOT-3
Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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