Microsemi Corporation - APTGFQ25H120T2G

KEY Part #: K6533560

APTGFQ25H120T2G Preços (USD) [1573pcs Estoque]

  • 1 pcs$27.53855
  • 10 pcs$25.91932
  • 25 pcs$24.29934
  • 100 pcs$23.16537

Número da peça:
APTGFQ25H120T2G
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
IGBT 1200V 40A 227W MODULE.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Retificadores - Solteiro and Tiristores - TRIACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGFQ25H120T2G Atributos do produto

Número da peça : APTGFQ25H120T2G
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : IGBT 1200V 40A 227W MODULE
Series : -
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo IGBT : NPT and Fieldstop
Configuração : Full Bridge
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 40A
Potência - Max : 227W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 25A
Corrente - corte de coletor (máx.) : 250µA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce : 2.02nF @ 25V
Entrada : Standard
Termistor NTC : Yes
Temperatura de operação : -
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : SP2
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SP2

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