APTGFQ25H120T2G Preços (USD) [1573pcs Estoque]
- 1 pcs$27.53855
- 10 pcs$25.91932
- 25 pcs$24.29934
- 100 pcs$23.16537
- Número da peça:
- APTGFQ25H120T2G
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrição detalhada:
- IGBT 1200V 40A 227W MODULE.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Propósito Específico and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Vantagem competitiva:
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APTGFQ25H120T2G Atributos do produto
Número da peça :
APTGFQ25H120T2G
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrição :
IGBT 1200V 40A 227W MODULE
Series :
-
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo IGBT :
NPT and Fieldstop
Configuração :
Full Bridge
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
40A
Potência - Max :
227W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 25A
Corrente - corte de coletor (máx.) :
250µA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce :
2.02nF @ 25V
Entrada :
Standard
Termistor NTC :
Yes
Temperatura de operação :
-
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote / caso :
SP2
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SP2
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