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  5. APTM120H57FT3G

Microsemi Corporation - APTM120H57FT3G

KEY Part #: K6524304

[3876pcs Estoque]

    Número da peça:
    APTM120H57FT3G
    Fabricante:
    Microsemi Corporation
    Descrição detalhada:
    MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Módulos de driver de energia and Transistores - IGBTs - Módulos ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Microsemi Corporation APTM120H57FT3G electronic components. APTM120H57FT3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM120H57FT3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APTM120H57FT3G Atributos do produto

    Número da peça : APTM120H57FT3G
    Fabricante : Microsemi Corporation
    Descrição : MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3
    Series : -
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : 4 N-Channel (H-Bridge)
    Recurso FET : Standard
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1200V (1.2kV)
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 17A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 684 mOhm @ 8.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 187nC @ 10V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 5155pF @ 25V
    Potência - Max : 390W
    Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Chassis Mount
    Pacote / caso : SP3
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SP3

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