FDMS037N08B Preços (USD) [80708pcs Estoque]
- 1 pcs$0.48447
- 3,000 pcs$0.46566
- Número da peça:
- FDMS037N08B
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 75V 100A 8QFN.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Single, Diodos - retificadores de ponte and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Vantagem competitiva:
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FDMS037N08B Atributos do produto
Número da peça :
FDMS037N08B
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 75V 100A 8QFN
Series :
PowerTrench®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
75V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
100nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
5915pF @ 37.5V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
830mW (Ta), 104.2W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-PQFN (5x6)
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
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