IXYS - IXTA48N20T

KEY Part #: K6395125

IXTA48N20T Preços (USD) [39583pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.20328
  • 50 pcs$1.19729

Número da peça:
IXTA48N20T
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 200V 48A TO-263.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Unijunction Programável and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTA48N20T Atributos do produto

Número da peça : IXTA48N20T
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 200V 48A TO-263
Series : Trench™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 48A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 60nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3090pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 250W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-263 (IXTA)
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB