FF11MR12W1M1B11BOMA1 Preços (USD) [570pcs Estoque]
- 1 pcs$81.35186
- Número da peça:
- FF11MR12W1M1B11BOMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2 N-CH 1200V 100A MODULE.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Single and Transistores - IGBTs - Single ...
- Vantagem competitiva:
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FF11MR12W1M1B11BOMA1 Atributos do produto
Número da peça :
FF11MR12W1M1B11BOMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET 2 N-CH 1200V 100A MODULE
Series :
CoolSiC™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Silicon Carbide (SiC)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11 mOhm @ 100A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.55V @ 40mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
250nC @ 15V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
7950pF @ 800V
Potência - Max :
-
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote / caso :
Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Module
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