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  5. 2N7635-GA

GeneSiC Semiconductor - 2N7635-GA

KEY Part #: K6404292

2N7635-GA Preços (USD) [8725pcs Estoque]

  • 10 pcs$112.26577
Número da peça:
2N7635-GA
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição detalhada:
TRANS SJT 650V 4A TO-257.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs and Diodos - RF ...
Vantagem competitiva:
We specialize in GeneSiC Semiconductor 2N7635-GA electronic components. 2N7635-GA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2N7635-GA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

2N7635-GA Atributos do produto

Número da peça : 2N7635-GA
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrição : TRANS SJT 650V 4A TO-257
Series : -
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : -
Tecnologia : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 4A (Tc) (165°C)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 415 mOhm @ 4A
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (máx.) : -
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 324pF @ 35V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 47W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 225°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-257
Pacote / caso : TO-257-3
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