VS-GT300YH120N Preços (USD) [518pcs Estoque]
- 1 pcs$89.51381
- 12 pcs$85.25116
- Número da peça:
- VS-GT300YH120N
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrição detalhada:
- IGBT 1200V 341A 1042W DIAP.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Matrizes and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
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VS-GT300YH120N Atributos do produto
Número da peça :
VS-GT300YH120N
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição :
IGBT 1200V 341A 1042W DIAP
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo IGBT :
Trench
Configuração :
Half Bridge
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
341A
Potência - Max :
1042W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
2.17V @ 15V, 300A (Typ)
Corrente - corte de coletor (máx.) :
300µA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce :
36nF @ 30V
Entrada :
Standard
Termistor NTC :
No
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote / caso :
Double INT-A-PAK (3 + 8)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Double INT-A-PAK
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