Vishay Siliconix - SI4559ADY-T1-E3

KEY Part #: K6524971

SI4559ADY-T1-E3 Preços (USD) [163159pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.22670
  • 2,500 pcs$0.20404

Número da peça:
SI4559ADY-T1-E3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4559ADY-T1-E3 Atributos do produto

Número da peça : SI4559ADY-T1-E3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC
Series : TrenchFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N and P-Channel
Recurso FET : Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 5.3A, 3.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 58 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 665pF @ 15V
Potência - Max : 3.1W, 3.4W
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SO

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