ON Semiconductor - NTTFS4C08NTAG

KEY Part #: K6415727

NTTFS4C08NTAG Preços (USD) [342819pcs Estoque]

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  • 1,500 pcs$0.13170

Número da peça:
NTTFS4C08NTAG
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 30V 52A U8FL.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - JFETs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTTFS4C08NTAG Atributos do produto

Número da peça : NTTFS4C08NTAG
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 30V 52A U8FL
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 9.3A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 18.2nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1113pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 820mW (Ta), 25.5W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-WDFN (3.3x3.3)
Pacote / caso : 8-PowerWDFN