NVD5117PLT4G-VF01 Preços (USD) [72890pcs Estoque]
- 1 pcs$0.53644
- 2,500 pcs$0.39662
- Número da peça:
- NVD5117PLT4G-VF01
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 60V 61A DPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - JFETs ...
- Vantagem competitiva:
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NVD5117PLT4G-VF01 Atributos do produto
Número da peça :
NVD5117PLT4G-VF01
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET P-CH 60V 61A DPAK
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
11A (Ta), 61A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
16 mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
85nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4800pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
4.1W (Ta), 118W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DPAK
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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