[12470pcs Estoque]
- Número da peça:
- PMV22EN,215
- Fabricante:
- NXP USA Inc.
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in NXP USA Inc. PMV22EN,215 electronic components. PMV22EN,215 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMV22EN,215, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PMV22EN,215 Atributos do produto
Número da peça :
PMV22EN,215
Fabricante :
NXP USA Inc.
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
5.2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
22 mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
13nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
480pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
510mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-236AB (SOT23)
Pacote / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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