Infineon Technologies - BSP129L6327HTSA1

KEY Part #: K6409981

[95pcs Estoque]


    Número da peça:
    BSP129L6327HTSA1
    Fabricante:
    Infineon Technologies
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - Propósito Específico ...
    Vantagem competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BSP129L6327HTSA1 Atributos do produto

    Número da peça : BSP129L6327HTSA1
    Fabricante : Infineon Technologies
    Descrição : MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223
    Series : SIPMOS®
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 240V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 350mA (Ta)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 0V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 Ohm @ 350mA, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 108µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 5.7nC @ 5V
    Vgs (máx.) : ±20V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 108pF @ 25V
    Recurso FET : Depletion Mode
    Dissipação de energia (máx.) : 1.8W (Ta)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-SOT223-4
    Pacote / caso : TO-261-4, TO-261AA