Diodes Incorporated - DMPH4013SK3Q-13

KEY Part #: K6403282

DMPH4013SK3Q-13 Preços (USD) [175074pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.21127

Número da peça:
DMPH4013SK3Q-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET BVDSS 31V-40V TO252 TR.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Single, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - Unijunction Programável ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMPH4013SK3Q-13 Atributos do produto

Número da peça : DMPH4013SK3Q-13
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET BVDSS 31V-40V TO252 TR
Series : Automotive, AEC-Q101
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 55A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 67nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4004pF @ 20V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.1W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-252, (D-Pak)
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63