Vishay Siliconix - IRFBF30S

KEY Part #: K6414366

[12780pcs Estoque]


    Número da peça:
    IRFBF30S
    Fabricante:
    Vishay Siliconix
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Módulos de driver de energia, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - JFETs and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Vishay Siliconix IRFBF30S electronic components. IRFBF30S can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFBF30S, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFBF30S Atributos do produto

    Número da peça : IRFBF30S
    Fabricante : Vishay Siliconix
    Descrição : MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
    Series : -
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 900V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3.6A (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.7 Ohm @ 2.2A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 78nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±20V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1200pF @ 25V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 125W (Tc)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D2PAK
    Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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