Número da peça :
SISS26DN-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CHANNEL 60V 60A 1212-8S
Series :
TrenchFET® Gen IV
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
60A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.6V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
37nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1710pF @ 30V
Dissipação de energia (máx.) :
57W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Pacote / caso :
PowerPAK® 1212-8S