Vishay Siliconix - SISS26DN-T1-GE3

KEY Part #: K6416864

SISS26DN-T1-GE3 Preços (USD) [117334pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.31523

Número da peça:
SISS26DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET N-CHANNEL 60V 60A 1212-8S.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Matrizes and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SISS26DN-T1-GE3 Atributos do produto

Número da peça : SISS26DN-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N-CHANNEL 60V 60A 1212-8S
Series : TrenchFET® Gen IV
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 60A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.6V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 37nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1710pF @ 30V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 57W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Pacote / caso : PowerPAK® 1212-8S

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