IRFI630GPBF Preços (USD) [34895pcs Estoque]
- 1 pcs$1.00762
- 10 pcs$0.91062
- 100 pcs$0.73159
- 500 pcs$0.56903
- 1,000 pcs$0.47148
- Número da peça:
- IRFI630GPBF
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220FP.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Propósito Específico, Diodos - RF, Tiristores - SCRs, Transistores - JFETs and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
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IRFI630GPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRFI630GPBF
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220FP
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
5.9A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
400 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
43nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
800pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
35W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220-3
Pacote / caso :
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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