Vishay Siliconix - SI5504BDC-T1-E3

KEY Part #: K6525108

SI5504BDC-T1-E3 Preços (USD) [209407pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.17751
  • 3,000 pcs$0.17663

Número da peça:
SI5504BDC-T1-E3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Single and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI5504BDC-T1-E3 Atributos do produto

Número da peça : SI5504BDC-T1-E3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
Series : TrenchFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N and P-Channel
Recurso FET : Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 4A, 3.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 7nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 220pF @ 15V
Potência - Max : 3.12W, 3.1W
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-SMD, Flat Lead
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 1206-8 ChipFET™

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