Vishay Semiconductor Diodes Division - ES1BHE3/5AT

KEY Part #: K6447600

[1368pcs Estoque]


    Número da peça:
    ES1BHE3/5AT
    Fabricante:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Descrição detalhada:
    DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Retificadores - Matrizes, Módulos de driver de energia, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ES1BHE3/5AT electronic components. ES1BHE3/5AT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES1BHE3/5AT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    ES1BHE3/5AT Atributos do produto

    Número da peça : ES1BHE3/5AT
    Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Descrição : DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
    Series : -
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo de Diodo : Standard
    Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 100V
    Atual - Média Retificada (Io) : 1A
    Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 920mV @ 1A
    Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 25ns
    Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 5µA @ 100V
    Capacitância @ Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote / caso : DO-214AC, SMA
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-214AC (SMA)
    Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C

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