Vishay Semiconductor Diodes Division - EGL34GHE3/83

KEY Part #: K6447646

[1353pcs Estoque]


    Número da peça:
    EGL34GHE3/83
    Fabricante:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Descrição detalhada:
    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Módulos de driver de energia, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - JFETs and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division EGL34GHE3/83 electronic components. EGL34GHE3/83 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EGL34GHE3/83, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    EGL34GHE3/83 Atributos do produto

    Número da peça : EGL34GHE3/83
    Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Descrição : DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213
    Series : SUPERECTIFIER®
    Status da Peça : Discontinued at Digi-Key
    Tipo de Diodo : Standard
    Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 400V
    Atual - Média Retificada (Io) : 500mA
    Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.35V @ 500mA
    Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 50ns
    Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 5µA @ 400V
    Capacitância @ Vr, F : 7pF @ 4V, 1MHz
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote / caso : DO-213AA (Glass)
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-213AA (GL34)
    Temperatura de funcionamento - junção : -65°C ~ 175°C

    Você também pode estar interessado em
    • RURD660S9A-F085

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK. Rectifiers Ultrafast Power Rectifier, 6A 600V

    • RURD660S9A-F085P

      ON Semiconductor

      UFR DPAK PN 6A 200V. Rectifiers 6A, 600V Ultrafast Diodes

    • FFSD08120A

      ON Semiconductor

      1200V 8A SIC SBD. Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A SIC SBD

    • RURD460S9A

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Fast Diode 4a 600V

    • 1PS193,115

      NXP USA Inc.

      DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

    • 1PS193,135

      NXP USA Inc.

      DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.