Microsemi Corporation - APT34M120J

KEY Part #: K6392618

APT34M120J Preços (USD) [1689pcs Estoque]

  • 1 pcs$25.62512
  • 10 pcs$24.11986
  • 25 pcs$22.61238
  • 100 pcs$21.55702

Número da peça:
APT34M120J
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT34M120J Atributos do produto

Número da peça : APT34M120J
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 35A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 300 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 560nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 18200pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 960W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-227
Pacote / caso : SOT-227-4, miniBLOC

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