Infineon Technologies - IRF7456TRPBF

KEY Part #: K6419971

IRF7456TRPBF Preços (USD) [147648pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.25051
  • 4,000 pcs$0.24046

Número da peça:
IRF7456TRPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 20V 16A 8-SOIC.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - TRIACs and Diodos - Zener - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF7456TRPBF Atributos do produto

Número da peça : IRF7456TRPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 20V 16A 8-SOIC
Series : HEXFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 16A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.5 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 62nC @ 5V
Vgs (máx.) : ±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3640pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.5W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SO
Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)