IPP60R165CPXKSA1 Preços (USD) [17846pcs Estoque]
- 1 pcs$1.99637
- 10 pcs$1.78175
- 100 pcs$1.46105
- 500 pcs$1.18309
- 1,000 pcs$0.94662
- Número da peça:
- IPP60R165CPXKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 21A TO-220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
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IPP60R165CPXKSA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPP60R165CPXKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 21A TO-220
Series :
CoolMOS™
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
21A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
165 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 790µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
52nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2000pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
192W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO220-3
Pacote / caso :
TO-220-3
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