BSC150N03LDGATMA1 Preços (USD) [225640pcs Estoque]
- 1 pcs$0.16392
- Número da peça:
- BSC150N03LDGATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies BSC150N03LDGATMA1 electronic components. BSC150N03LDGATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC150N03LDGATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSC150N03LDGATMA1 Atributos do produto
Número da peça :
BSC150N03LDGATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
15 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
13.2nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1100pF @ 15V
Potência - Max :
26W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-PowerVDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TDSON-8 Dual
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