IXTP01N100D Preços (USD) [20874pcs Estoque]
- 1 pcs$2.17265
- 10 pcs$1.93908
- 100 pcs$1.59005
- 500 pcs$1.28755
- 1,000 pcs$1.03020
- Número da peça:
- IXTP01N100D
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - TRIACs, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXTP01N100D electronic components. IXTP01N100D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTP01N100D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTP01N100D Atributos do produto
Número da peça :
IXTP01N100D
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
100mA (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
110 Ohm @ 50mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
120pF @ 25V
Recurso FET :
Depletion Mode
Dissipação de energia (máx.) :
1.1W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220AB
Pacote / caso :
TO-220-3
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