ON Semiconductor - HUF75329D3ST

KEY Part #: K6392702

HUF75329D3ST Preços (USD) [173708pcs Estoque]

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  • 2,500 pcs$0.21293

Número da peça:
HUF75329D3ST
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 55V 20A DPAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Tiristores - TRIACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HUF75329D3ST Atributos do produto

Número da peça : HUF75329D3ST
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
Series : UltraFET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 20A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 26 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 65nC @ 20V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1060pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 128W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-252AA
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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