SIS932EDN-T1-GE3 Preços (USD) [365388pcs Estoque]
- 1 pcs$0.10123
- Número da peça:
- SIS932EDN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Single and Tiristores - TRIACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SIS932EDN-T1-GE3 electronic components. SIS932EDN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIS932EDN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIS932EDN-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SIS932EDN-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
22 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1000pF @ 15V
Potência - Max :
2.6W (Ta), 23W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
PowerPAK® 1212-8 Dual
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerPAK® 1212-8 Dual
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