ON Semiconductor - NVMFD5877NLWFT1G

KEY Part #: K6522683

NVMFD5877NLWFT1G Preços (USD) [186627pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.19819
  • 1,500 pcs$0.18018

Número da peça:
NVMFD5877NLWFT1G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET 2N-CH 60V 6A SO8FL.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Diodos - retificadores de ponte ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMFD5877NLWFT1G Atributos do produto

Número da peça : NVMFD5877NLWFT1G
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET 2N-CH 60V 6A SO8FL
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Recurso FET : Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 39 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 540pF @ 25V
Potência - Max : 3.2W
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-PowerTDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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