Rohm Semiconductor - RD3H080SPTL1

KEY Part #: K6393240

RD3H080SPTL1 Preços (USD) [217313pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.17020

Número da peça:
RD3H080SPTL1
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descrição detalhada:
PCH -45V -8A POWER MOSFET.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Tiristores - SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - JFETs and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RD3H080SPTL1 Atributos do produto

Número da peça : RD3H080SPTL1
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : PCH -45V -8A POWER MOSFET
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 45V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 8A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 91 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 9nC @ 5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1000pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 15W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-252
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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