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  4. Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
  5. QJD1210010

Powerex Inc. - QJD1210010

KEY Part #: K6523719

[4071pcs Estoque]

    Número da peça:
    QJD1210010
    Fabricante:
    Powerex Inc.
    Descrição detalhada:
    MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - JFETs and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Powerex Inc. QJD1210010 electronic components. QJD1210010 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for QJD1210010, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    QJD1210010 Atributos do produto

    Número da peça : QJD1210010
    Fabricante : Powerex Inc.
    Descrição : MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
    Series : -
    Status da Peça : Active
    Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
    Recurso FET : Silicon Carbide (SiC)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1200V (1.2kV)
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 100A, 20V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 10mA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 500nC @ 20V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 10200pF @ 800V
    Potência - Max : 1080W
    Temperatura de operação : -40°C ~ 175°C (TJ)
    Tipo de montagem : Chassis Mount
    Pacote / caso : Module
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Module
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