APTM120H140FT1G Preços (USD) [2247pcs Estoque]
- 1 pcs$19.26652
- 100 pcs$19.03968
- Número da peça:
- APTM120H140FT1G
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrição detalhada:
- MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - JFETs, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Microsemi Corporation APTM120H140FT1G electronic components. APTM120H140FT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM120H140FT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
APTM120H140FT1G Atributos do produto
Número da peça :
APTM120H140FT1G
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrição :
MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
4 N-Channel (H-Bridge)
Recurso FET :
Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.68 Ohm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
145nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3812pF @ 25V
Potência - Max :
208W
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote / caso :
SP1
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SP1
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