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  5. 1N5417US

Microsemi Corporation - 1N5417US

KEY Part #: K6440335

1N5417US Preços (USD) [4505pcs Estoque]

  • 1 pcs$6.29320
  • 10 pcs$5.71940
  • 25 pcs$5.29052
Número da peça:
1N5417US
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 200V 3A D5B. Rectifiers Rectifier
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - IGBTs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Microsemi Corporation 1N5417US electronic components. 1N5417US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5417US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5417US Atributos do produto

Número da peça : 1N5417US
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : DIODE GEN PURP 200V 3A D5B
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 200V
Atual - Média Retificada (Io) : 3A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.5V @ 9A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 150ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 1µA @ 200V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : E-MELF
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D-5B
Temperatura de funcionamento - junção : -65°C ~ 175°C

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