Infineon Technologies - IDB30E120ATMA1

KEY Part #: K6440273

IDB30E120ATMA1 Preços (USD) [69605pcs Estoque]

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Número da peça:
IDB30E120ATMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - IGBTs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IDB30E120ATMA1 Atributos do produto

Número da peça : IDB30E120ATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 1200V
Atual - Média Retificada (Io) : 50A (DC)
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 2.15V @ 30A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 243ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 100µA @ 1200V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO263-3
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C

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