IDB30E60ATMA1 Preços (USD) [68077pcs Estoque]
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- 1,000 pcs$0.39206
- Número da peça:
- IDB30E60ATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Tiristores - SCRs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
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IDB30E60ATMA1 Atributos do produto
Número da peça :
IDB30E60ATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
600V
Atual - Média Retificada (Io) :
52.3A (DC)
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
2V @ 30A
Rapidez :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
126ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
50µA @ 600V
Capacitância @ Vr, F :
-
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO263-3-2
Temperatura de funcionamento - junção :
-40°C ~ 175°C
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