[2067pcs Estoque]
- Número da peça:
- IPA50R800CE
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 500V 5A PG-TO220 FPK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - TRIACs and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IPA50R800CE electronic components. IPA50R800CE can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPA50R800CE, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPA50R800CE Atributos do produto
Número da peça :
IPA50R800CE
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 500V 5A PG-TO220 FPK
Series :
CoolMOS™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
800 mOhm @ 1.5A, 13V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 130µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
12.4nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
280pF @ 100V
Recurso FET :
Super Junction
Dissipação de energia (máx.) :
26.4W (Tc)
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO220-FP
Pacote / caso :
TO-220-3 Full Pack
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