IXYS - IXFL38N100P

KEY Part #: K6395767

IXFL38N100P Preços (USD) [4478pcs Estoque]

  • 1 pcs$11.17833
  • 25 pcs$11.12272

Número da peça:
IXFL38N100P
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 1000V 29A I5-PAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Propósito Específico, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFL38N100P Atributos do produto

Número da peça : IXFL38N100P
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 1000V 29A I5-PAK
Series : HiPerFET™, PolarP2™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 29A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 230 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 350nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 24000pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 520W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : ISOPLUSi5-Pak™
Pacote / caso : ISOPLUSi5-Pak™