Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3K72KCT,L3F

KEY Part #: K6416401

SSM3K72KCT,L3F Preços (USD) [3056256pcs Estoque]

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  • 10,000 pcs$0.01331

Número da peça:
SSM3K72KCT,L3F
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 60V 0.4A.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - SCRs, Diodos - Zener - Single, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM3K72KCT,L3F Atributos do produto

Número da peça : SSM3K72KCT,L3F
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : MOSFET N-CH 60V 0.4A
Series : U-MOSVII-H
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 400mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 0.6nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 40pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 500mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : CST3
Pacote / caso : SC-101, SOT-883

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