Diodes Incorporated - DMTH6016LPDQ-13

KEY Part #: K6522510

DMTH6016LPDQ-13 Preços (USD) [148064pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.24981

Número da peça:
DMTH6016LPDQ-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI506.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Módulos and Tiristores - TRIACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMTH6016LPDQ-13 Atributos do produto

Número da peça : DMTH6016LPDQ-13
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI506
Series : Automotive, AEC-Q101
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Recurso FET : Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 9.2A (Ta), 33.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 19 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 864pF @ 30V
Potência - Max : 2.5W (Ta), 37.5W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-PowerTDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerDI5060-8