EPC2108 Preços (USD) [113220pcs Estoque]
- 1 pcs$0.34825
- 2,500 pcs$0.34652
- Número da peça:
- EPC2108
- Fabricante:
- EPC
- Descrição detalhada:
- GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - RF and Tiristores - SCRs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in EPC EPC2108 electronic components. EPC2108 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2108, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
EPC2108 Atributos do produto
Número da peça :
EPC2108
Fabricante :
EPC
Descrição :
GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
Series :
eGaN®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Recurso FET :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V, 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1.7A, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Potência - Max :
-
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
9-VFBGA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
9-BGA (1.35x1.35)
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