EPC - EPC2108

KEY Part #: K6524990

EPC2108 Preços (USD) [113220pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.34825
  • 2,500 pcs$0.34652

Número da peça:
EPC2108
Fabricante:
EPC
Descrição detalhada:
GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - SCRs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Propósito Específico, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2108 Atributos do produto

Número da peça : EPC2108
Fabricante : EPC
Descrição : GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
Series : eGaN®
Status da Peça : Active
Tipo FET : 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Recurso FET : GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V, 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.7A, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Potência - Max : -
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 9-VFBGA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 9-BGA (1.35x1.35)
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