SQJ912AEP-T1_GE3 Preços (USD) [152759pcs Estoque]
- 1 pcs$0.24213
- 3,000 pcs$0.20465
- Número da peça:
- SQJ912AEP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SQJ912AEP-T1_GE3 electronic components. SQJ912AEP-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJ912AEP-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SQJ912AEP-T1_GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SQJ912AEP-T1_GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Series :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.3 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
38nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1835pF @ 20V
Potência - Max :
48W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
PowerPAK® SO-8 Dual
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerPAK® SO-8 Dual
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