Microsemi Corporation - APT30N60BC6

KEY Part #: K6396965

APT30N60BC6 Preços (USD) [14320pcs Estoque]

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  • 10 pcs$2.84824
  • 100 pcs$2.34179
  • 500 pcs$1.96204
  • 1,000 pcs$1.70887

Número da peça:
APT30N60BC6
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V 30A TO-247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Módulos de driver de energia and Transistores - JFETs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT30N60BC6 Atributos do produto

Número da peça : APT30N60BC6
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
Series : CoolMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 30A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 960µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 88nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2267pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 219W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247 [B]
Pacote / caso : TO-247-3