TK14E65W,S1X Preços (USD) [30561pcs Estoque]
- 1 pcs$1.48516
- 10 pcs$1.34105
- 100 pcs$1.02238
- 500 pcs$0.79518
- 1,000 pcs$0.65887
- Número da peça:
- TK14E65W,S1X
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Matrizes and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK14E65W,S1X electronic components. TK14E65W,S1X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK14E65W,S1X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TK14E65W,S1X Atributos do produto
Número da peça :
TK14E65W,S1X
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220
Series :
DTMOSIV
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
13.7A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
250 mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 690µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
35nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1300pF @ 300V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
130W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220
Pacote / caso :
TO-220-3
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